| 发明名称 | 接触孔侧壁金属元素含量监测方法及晶圆 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种接触孔侧壁金属元素含量监测方法，包括以下步骤：提供形成于晶圆测试区的半导体基底；在所述半导体基底上形成金属硅化物；在所述金属硅化物和所述半导体基底表面淀积形成层间介质层；对所述层间介质层进行刻蚀形成矩形孔；所述矩形孔将部分金属硅化物显露出来，所述矩形孔的侧壁为倾斜面；对显露出来的金属硅化物进行预溅射；采集所述矩形孔侧壁上的金属元素含量。上述接触孔侧壁金属元素含量监测方法，通过对倾斜面的金属元素进行采集即能够对接触孔侧壁上的金属元素含量进行有效监测。还公开了一种晶圆。 | ||
| 申请公布号 | CN106033732A | 申请公布日期 | 2016.10.19 |
| 申请号 | CN201510105719.6 | 申请日期 | 2015.03.10 |
| 申请人 | 无锡华润上华科技有限公司 | 发明人 | 李健;胡骏 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I;H01L23/544(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人 | 邓云鹏 |
| 主权项 | 一种接触孔侧壁金属元素含量监测方法，包括以下步骤：提供形成于晶圆测试区的半导体基底；在所述半导体基底上形成金属硅化物；在所述金属硅化物和所述半导体基底表面淀积形成层间介质层；对所述层间介质层进行刻蚀形成矩形孔；所述矩形孔将部分金属硅化物显露出来，所述矩形孔的侧壁为倾斜面；对显露出来的金属硅化物进行预溅射；采集所述矩形孔侧壁上的金属元素含量。 | ||
| 地址 | 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 | ||