发明名称 ポリシリコンの研磨用組成物及び研磨方法
摘要 The invention provides a polishing composition comprising silica, an aminophosphonic acid, a polysaccharide, a tetraalkylammonium salt, a bicarbonate salt, an azole ring, and water, wherein the polishing composition has a pH of about 7 to about 11. The invention further provides a method of polishing a substrate with the polishing composition.
申请公布号 JP6010043(B2) 申请公布日期 2016.10.19
申请号 JP20130544806 申请日期 2011.12.16
申请人 キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション 发明人 ブライアン リース;ティモシー ピー.ジョンズ;マイケル ホワイト;ラモン ジョーンズ;ジョン クラーク
分类号 H01L21/304;B24B37/00;C09G1/02;C09K3/14 主分类号 H01L21/304
代理机构 代理人
主权项
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