发明名称 |
纳米多孔材料孔道内表面的等离子体改性处理方法及应用 |
摘要 |
本发明提供一种纳米多孔材料孔道内表面的等离子体改性处理方法,采用常温常压下介质阻挡放电的方式,在不同气氛下对纳米多孔材料进行处理,其输出功率控制在80‑110瓦,处理时间为20‑40分钟,交流电源幅值为30‑50千伏,频率为5‑20千赫兹内可调。对等离子体处理后的纳米多孔材料进行孔道内有机功能化修饰,可以作为高效吸附材料;进行金属负载,可以作为高效催化剂。 |
申请公布号 |
CN106031860A |
申请公布日期 |
2016.10.19 |
申请号 |
CN201610173148.4 |
申请日期 |
2016.03.24 |
申请人 |
华东理工大学 |
发明人 |
胡军;黄佳丽;高洁;刘洪来 |
分类号 |
B01J20/18(2006.01)I;B01J32/00(2006.01)I;B01J29/035(2006.01)I;B01J21/18(2006.01)I;B01J23/50(2006.01)I;B01J20/30(2006.01)I;B01D53/02(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I |
主分类号 |
B01J20/18(2006.01)I |
代理机构 |
上海顺华专利代理有限责任公司 31203 |
代理人 |
陆林辉 |
主权项 |
纳米多孔材料孔道内表面的等离子体改性处理方法,采用常温常压下介质阻挡放电的方式,在不同气氛下对纳米多孔材料进行处理,输出功率为80‑110瓦,处理时间为20‑40分钟,交流电源幅值为25‑40千伏,频率为5‑15千赫兹。 |
地址 |
200237 上海市徐汇区梅陇路130号 |