一种多晶硅膜制备方法

摘要

本发明涉及一种多晶硅膜制备方法，属于半导体技术领域。该方法首先利用微透镜组进行单次曝光显影定位晶粒，进而利用准分子激光透过微透镜组聚焦，并使焦点接近定位位置，形成晶粒。利用该方法能在多晶硅膜制备过程中提高多晶硅薄膜晶体管的载子移动率，提升多晶硅薄膜晶体管的整体性能，且本发明的多晶硅膜制备方法，其实现方式简单，实现成本低廉。

主权项

一种多晶硅膜制备方法，其特征在于，所述的方法包括以下步骤：(1)在衬底上沉积一层具有吸收系数的SiONx薄膜；(2)在所述的SiONx薄膜上沉积一层SiO2覆盖层作为非晶硅膜；(3)利用微透镜组对所述的非晶硅膜进行单次曝光显影，在所述的非晶硅膜上确定晶粒位置；(4)利用准分子激光透过微透镜组聚焦，并使焦点接近所述非晶硅膜的晶粒位置，使照射处的非晶硅膜融化而产生晶粒，作为定位晶种。