发明名称 一种Ag<sub>2</sub>Ga纳米针成型机理及尖端形貌控制研究方法
摘要 本发明公开了一种Ag<sub>2</sub>Ga纳米针成型机理及尖端形貌控制研究方法,按如下步骤:一、计算模型建立Ag微粒与Ga微粒发生化学反应生成Ag<sub>2</sub>Ga,用方程2Ag+Ga=Ag<sub>2</sub>Ga表示,在整个计算模型中存在着三个密度场变量,定义Ag微粒为c<sub>1</sub>(x,y,z,t),Ag<sub>2</sub>Ga纳米针为c<sub>2</sub>(x,y,z,t),Ga微粒为c<sub>3</sub>(x,y,z,t),c<sub>1</sub>为Ag微粒的浓度占总的微粒浓度的百分比,c<sub>2</sub>为Ag<sub>2</sub>Ga微粒的浓度占总的微粒浓度的百分比,c<sub>3</sub>为Ga微粒的浓度占总的微粒浓度的百分比;该计算模型自由能主要由化学能和梯度能组成,用如下方程表示:<maths num="0001"><math><![CDATA[ <mrow> <mi>G</mi> <mo>=</mo> <munder> <mo>&Integral;</mo> <mi>v</mi> </munder> <mo>{</mo> <msub> <mi>F</mi> <mrow> <mi>c</mi> <mi>h</mi> </mrow> </msub> <mo>+</mo> <msub> <mi>F</mi> <mrow> <mi>g</mi> <mi>r</mi> <mi>a</mi> <mi>d</mi> </mrow> </msub> <mo>}</mo> <mi>d</mi> <mi>V</mi> <mo>-</mo> <mo>-</mo> <mo>-</mo> <mrow> <mo>(</mo> <mn>1</mn> <mo>)</mo> </mrow> </mrow>]]></math><img file="DDA0001000527100000011.GIF" wi="510" he="111" /></maths>其中,F<sub>ch</sub>表示化学能量变化,F<sub>grad</sub>表示梯度能量变化;二、通过改变材料的表面能来探究纳米针尖端形貌变化的作用规律,控制不同材料纳米针尖端形貌变化。
申请公布号 CN106021938A 申请公布日期 2016.10.12
申请号 CN201610355855.5 申请日期 2016.05.26
申请人 杭州电子科技大学 发明人 张俐楠;郑伟;陈超;吴立群;王洪成
分类号 G06F19/00(2011.01)I 主分类号 G06F19/00(2011.01)I
代理机构 杭州千克知识产权代理有限公司 33246 代理人 周希良
主权项 一种Ag<sub>2</sub>Ga纳米针成型机理及尖端形貌控制研究方法,其特征是按如下步骤:一、计算模型建立Ag微粒与Ga微粒发生化学反应生成Ag<sub>2</sub>Ga,用方程2Ag+Ga=Ag<sub>2</sub>Ga表示,在整个计算模型中存在着三个密度场变量,定义Ag微粒为c<sub>1</sub>(x,y,z,t),Ag<sub>2</sub>Ga纳米针为c<sub>2</sub>(x,y,z,t),Ga微粒为c<sub>3</sub>(x,y,z,t),c<sub>1</sub>为Ag微粒的浓度占总的微粒浓度的百分比,c<sub>2</sub>为Ag<sub>2</sub>Ga微粒的浓度占总的微粒浓度的百分比,c<sub>3</sub>为Ga微粒的浓度占总的微粒浓度的百分比;该计算模型自由能主要由化学能和梯度能组成,用如下方程表示:<img file="FDA0001000527070000011.GIF" wi="1110" he="111" />其中,F<sub>ch</sub>表示化学能量变化,F<sub>grad</sub>表示梯度能量变化;二、通过改变材料的表面能来探究纳米针尖端形貌变化的作用规律,控制不同材料纳米针尖端形貌变化。
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