| 发明名称 |
Resistive switching memory and method of fabricating the same |
| 摘要 |
본 발명은 기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계; 상기 제 1 전극 상에 고체폴리머전해질(solid polymer electrolyte)을 구비하는 저항변화층(resistive switching layer)을 형성하는 단계; 및 상기 저항변화층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계;를 포함하는, 저항변화메모리의 제조방법 및 이를 이용하여 구현한 저항변화메모리를 제공한다. |
| 申请公布号 |
KR20160118848(A) |
申请公布日期 |
2016.10.12 |
| 申请号 |
KR20150047652 |
申请日期 |
2015.04.03 |
| 申请人 |
POSTECH ACADEMY-INDUSTRY FOUNDATION |
发明人 |
LEE, JANG SIK;NILOUFAR RAEIS HOSSEIN |
| 分类号 |
H01L27/24;C08K5/053;H01L27/115 |
主分类号 |
H01L27/24 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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