发明名称 |
SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT WITH ACTIVE DRIFT ZONE |
摘要 |
반도체 소자 장치는 부하 경로를 갖는 제 1 반도체 소자와, 제 1 및 제 2 부하 단자 및 제어 단자 사이에 부하 경로를 각각 갖는 복수의 제 2 반도체 소자를 포함한다. 제 2 반도체 소자는 직렬 연결되고 또한 제 1 반도체 소자의 부하 경로에 직렬 연결된 부하 경로들을 갖는다. 제 2 반도체 소자 각각은 다른 제 2 반도체 소자 중 하나에 대한 부하 단자에 연결된 제어 단자를 갖고, 제 2 반도체 소자 중 하나는 제 1 반도체 소자의 부하 단자 중 하나에 연결된 제어 단자를 갖는다. 제 2 반도체 소자 각각은 적어도 하나의 소자 특성을 갖는다. 제 2 반도체 소자 중 적어도 하나에 대한 적어도 하나의 소자 특성은 제 2 반도체 소자의 다른 것에 대한 상응하는 소자 특성과 다르다. |
申请公布号 |
KR101665836(B1) |
申请公布日期 |
2016.10.12 |
申请号 |
KR20147021520 |
申请日期 |
2013.01.30 |
申请人 |
인피니언 테크놀로지스 드레스덴 게엠베하 |
发明人 |
베이스 롤프;트레우 마이클;드보이 제랄드;빌메로스 아민;베버 한스 |
分类号 |
H01L27/06;H01L21/84;H01L27/088;H01L27/12;H01L29/06;H01L29/40;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L27/06 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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