一种在金导体薄膜电路上进行铝丝键合的方法

摘要

本发明提出了一种在金导体薄膜电路上进行铝丝键合的方法，包括以下步骤：步骤（a），在介质基片上形成金导体薄膜电路；步骤（b），在所述金导体薄膜电路表面涂覆正性光刻胶膜层；步骤（c），通过曝光、显影的方法定义出铝丝键合区域；步骤（d），电镀镍，使镍层在铝丝键合区进行局部沉积；步骤（e），去除所述金导体薄膜电路表面的光刻胶膜层，清洗并切割出所需要的图形。本发明的一种在金导体薄膜电路上进行铝丝键合的方法，由于镍层对于金层和铝层来讲都有着友好粘接特性，避免了金层与铝丝直接接触而造成的接触电阻增加、电路损耗增加、键合强度下降甚至断裂的问题。同时操作简单、成本低，值得在生产中加以推广。

主权项

一种在金导体薄膜电路上进行铝丝键合的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤(a)，在介质基片上形成金导体薄膜电路；步骤(b)，在所述金导体薄膜电路表面涂覆正性光刻胶膜层，在所述金导体薄膜电路表面涂覆正性光刻胶膜层的方法为旋转涂覆法或者喷雾涂覆法，所述光刻胶为RZJ‑390型正性光刻胶，所述光刻胶膜层的厚度范围是1～10μm，所述光刻胶膜层形成后，还包括在90℃烘箱内加热10～15min的步骤；步骤(c)，通过曝光、显影的方法定义出铝丝键合区域；步骤(d)，电镀镍，使镍层在铝丝键合区进行局部沉积；所述电镀镍采用的是直流电镀镍，电流密度为1～10mA/cm²，电镀溶液的主要成分是硫酸镍和氯化镍；所述电镀镍的厚度是1～4μm；步骤(e)，去除所述金导体薄膜电路表面的光刻胶膜层，清洗并切割出所需要的图形；去除所述金导体薄膜电路表面的光刻胶膜层所使用的药剂是碱液，碱液的浓度为10～30％质量分数，切割图形所使用的手段是砂轮划切或激光切割。