发明名称 磁屏蔽室开关机构
摘要 本发明涉及一种磁屏蔽室开关结构。主要解决了现有大屏蔽室的屏蔽门、屏蔽窗的屏蔽效果差的问题。所述的固定屏蔽部分1与活动屏蔽部分2分别由至少两层的导磁屏蔽层构成,固定屏蔽部分1开口相对的两侧及活动屏蔽部分2两侧根据屏蔽层的分层结构分别设置为阶梯形式,固定屏蔽部分1开口相对的两侧的阶梯形式结构与活动屏蔽部分2两侧阶梯形式结构搭接,并通过支撑结构3限位固定。具有结构简单、屏蔽效果好的特点。
申请公布号 CN106028770A 申请公布日期 2016.10.12
申请号 CN201610444315.4 申请日期 2016.06.20
申请人 哈尔滨工业大学 发明人 潘东华;李立毅;孙芝茵
分类号 H05K9/00(2006.01)I 主分类号 H05K9/00(2006.01)I
代理机构 北京天奇智新知识产权代理有限公司 11340 代理人 范光晔
主权项 一种磁屏蔽室开关机构,包括固定屏蔽部分1、活动屏蔽部分2、及支撑结构3,其特征在于:所述的固定屏蔽部分1与活动屏蔽部分2分别由至少两层的导磁屏蔽层构成,固定屏蔽部分1开口相对的两侧及活动屏蔽部分2两侧根据屏蔽层的分层结构分别设置为阶梯形式,固定屏蔽部分1开口相对的两侧的阶梯形式结构与活动屏蔽部分2两侧阶梯形式结构搭接,并通过支撑结构3限位固定。
地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
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