| 发明名称 | 氧化物烧结体、溅射靶以及使用该溅射靶而得到的氧化物半导体薄膜 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种氧化物烧结体以及使用所述氧化物烧结体的溅射靶，在通过溅射法将所述氧化物烧结体制成氧化物半导体薄膜时，能够获得低载流子浓度、高载流子迁移率。该氧化物烧结体含有作为氧化物的铟、镓和锌。由Ga/(In+Ga)原子数比所表示的镓的含量为0.08以上且小于0.20，由Zn/(In+Ga+Zn)原子数比所表示的锌的含量为0.0001以上且小于0.08。将该氧化物烧结体作为溅射靶而形成的晶质氧化物半导体薄膜所获得的载流子浓度为8.0×10<sup>17</sup>cm<sup>‑3</sup>以下，载流子迁移率为10cm<sup>2</sup>/V·s以上。 | ||
| 申请公布号 | CN106029603A | 申请公布日期 | 2016.10.12 |
| 申请号 | CN201580009747.6 | 申请日期 | 2015.02.12 |
| 申请人 | 住友金属矿山株式会社 | 发明人 | 中山德行;西村英一郎;松村文彦;井藁正史 |
| 分类号 | C04B35/00(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I;H01L21/363(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 李英艳;张永康 |
| 主权项 | 一种氧化物烧结体，其特征在于，含有作为氧化物的铟、镓和锌，由Ga/(In+Ga)原子数比所表示的所述镓的含量为0.08以上且小于0.20，由Zn/(In+Ga+Zn)原子数比所表示的所述锌的含量为0.0001以上且小于0.08。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||