一种发光二极管的外延片及其生长方法

摘要

本发明公开了一种发光二极管的外延片及其生长方法，属于半导体技术领域。所述外延片包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在蓝宝石衬底上的缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、电流扩展层、浅阱层、多量子阱层、低温P型GaN层、P型电子阻挡层、高温P型GaN层、P型接触层，电流扩展层包括AlN层、InGaN层和GaN层。本发明通过AlN作为宽禁带半导体能够提高势垒，使电子减速，增加电子的横向扩展能力，并且InGaN层降低了势垒高度，起到蓄水池的作用，同时GaN层可以防止InGaN层中的In扩散而造成电子溢流，最终提高电流的扩展能力，改善局部电流过大的问题，有效减少电子溢流，提高LED的抗静电能力。

主权项

一种发光二极管的外延片，所述外延片包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在所述蓝宝石衬底上的缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、浅阱层、多量子阱层、低温P型GaN层、P型电子阻挡层、高温P型GaN层、P型接触层，其特征在于，所述外延片还包括层叠在所述N型GaN层和所述浅阱层之间的电流扩展层，所述电流扩展层包括依次层叠在所述N型GaN层上的AlN层、InGaN层和GaN层。