| 发明名称 |
SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF |
| 摘要 |
본 발명의 목적은 인듐(In), 갈륨(Ga) 및 아연(Zn)을 포함하는 산화물 반도체 막을 사용하고 소스 또는 드레인 전극 층의 접촉 저항이 감소된 박막 트랜지스터 및 그 생산 방법을 제공하는 것이다. IGZO 층은 소스 전극층 및 드레인 전극층 위에 제공되고, IGZO 반도체층보다 더 낮은 산소 농도를 가지는 소스 및 드레인 영역은 의도적으로 소스 및 드레인 전극층과 게이트 절연층 사이에 제공되어, 옴 접촉이 이루어진다. |
| 申请公布号 |
KR20160119272(A) |
申请公布日期 |
2016.10.12 |
| 申请号 |
KR20167027185 |
申请日期 |
2009.08.27 |
| 申请人 |
SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. |
发明人 |
YAMAZAKI SHUNPEI;AKIMOTO KENGO;KOMORI SHIGEKI;UOCHI HIDEKI |
| 分类号 |
H01L29/786;H01L27/12;H01L29/45 |
主分类号 |
H01L29/786 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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