衬底处理装置及半导体器件的制造方法

摘要

本发明涉及衬底处理装置及半导体器件的制造方法。提供在衬底面内形成均匀的膜的技术。具有：衬底载置部，对衬底进行载置；腔盖，与衬底载置部的至少一部分相对，并且在具有气体供给通路；气体供给结构，与气体供给通路连通；反应气体供给部，与气体供给结构连接，具有等离子体生成部；管，设置于气体供给结构内及所述气体供给通路内，与反应气体供给部连通；气体供给部，与气体供给结构连接，向管的外周侧、气体供给结构内侧供给气体。

主权项

一种衬底处理装置，其具有：衬底载置部，对衬底进行载置；腔盖，与所述衬底载置部的至少一部分相对，并且在中央具有气体供给通路；气体供给结构，与所述气体供给通路连通；反应气体供给部，与所述气体供给结构连接，具有等离子体生成部；管，设置于所述气体供给结构内及所述气体供给通路内，与所述反应气体供给部连通；气体供给部，与所述气体供给结构连接，向所述管的外周侧且所述气体供给结构内侧供给气体。