半导体器件

摘要

本发明提供一种包括存储区域和逻辑区域的半导体器件。存储区域包括通过将电荷累积到侧壁绝缘膜中来存储信息的晶体管(存储晶体管)。使存储区域中包括的存储晶体管的侧壁绝缘膜的宽度大于逻辑区域中包括的晶体管(逻辑晶体管)的侧壁绝缘膜的宽度。利用本发明，可以实现作为存储晶体管的展现出优良编程速度的晶体管和包括这种晶体管的半导体器件。

主权项

一种半导体器件，包括：存储区域；以及逻辑区域，其中所述存储区域包括：第一晶体管，包括：第一栅极绝缘膜，设置在半导体衬底上方；第一栅极电极，设置在所述第一栅极绝缘膜上方；第一侧壁绝缘膜，设置在所述第一栅极电极的侧壁上且设置在所述半导体衬底上方；以及第一源极区和第一漏极区，在所述半导体衬底中分别设置在所述第一栅极电极的两侧，所述第一晶体管通过将电荷累积到所述第一侧壁绝缘膜中来存储信息，其中所述逻辑区域包括：第二晶体管，包括：第二栅极绝缘膜，设置在所述半导体衬底上方；第二栅极电极，设置在所述第二栅极绝缘膜上方；第二侧壁绝缘膜，设置在所述第二栅极电极的侧壁上且设置在所述半导体衬底上方；以及第二源极区和第二漏极区，在所述半导体衬底中分别设置在所述第二栅极电极的两侧，并且其中所述第一侧壁绝缘膜的宽度大于所述第二侧壁绝缘膜的宽度。