| 摘要 |
본 발명은 박막 트랜지스터 액정표시장치 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명의 액정표시장치 제조방법은, 기판 상에 제 1 금속막과 제 2 금속막을 순차적으로 형성한 다음, 이중 금속막으로된 게이트 배선, 공통 배선, 화소 전극 및 공통 전극을 형성하는 단계; 상기 공통 전극의 제 2 금속막을 제거하는 단계; 상기 게이트 배선 등이 형성된 기판 상에 게이트 절연막, 채널층 및 보호층을 연속하여 형성하고, 회절 마스크 또는 하프톤 마스크를 사용한 마스크 공정을 진행하여 콘택홀을 형성하는 단계; 상기 콘택홀이 형성된 보호층 상에 이온 주입 공정을 진행하여 노출된 채널층 상에 도핑된 저저항 접촉층을 형성하는 단계; 및 상기 결과물 상에 소스/드레인 금속막을 형성하고 마스크 공정을 진행하여 소스/드레인 전극을 형성하는 단계를 포함한다. 또한, 본 발명의 액정표시장치 제조방법은 마스크 공정을 줄이면서도 고성능 박막 트랜지스터를 형성할 수 있는 효과가 있다. |
