发明名称 太阳能电池及其制造方法
摘要 根据本发明的太阳能电池包括:光吸收层;在光吸收层上的缓冲层;在缓冲层上的高电阻缓冲层;以及在缓冲层上的窗口层,其中高电阻缓冲层的能带隙高于窗口层的能带隙。
申请公布号 CN104285303B 申请公布日期 2016.10.12
申请号 CN201380024898.X 申请日期 2013.04.18
申请人 LG伊诺特有限公司 发明人 成命锡;张大振
分类号 H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/0749(2012.01)I 主分类号 H01L31/0216(2014.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 蔡胜有;顾晋伟
主权项 一种太阳能电池,包括:光吸收层;在所述光吸收层上的缓冲层;在所述缓冲层上的高电阻缓冲层;以及在所述高电阻缓冲层上的窗口层,其中所述高电阻缓冲层的能带隙高于所述窗口层的能带隙。
地址 韩国首尔