发明名称 抛光垫窗
摘要 抛光垫适合于抛光或平坦化半导体、光学和磁性衬底中的至少一个。抛光垫具有抛光表面、经由抛光垫的开口和在抛光垫中的开口内的透明窗。透明窗具有凹表面,其具有随着抛光垫的使用而增大的深度。信号区域向下倾斜到中心区域内,用于促进残渣去除,且残渣排放凹槽延伸穿过中心区域到抛光垫内。将抛光垫与残渣排放凹槽中的抛光流体一起旋转将残渣从中心区域经由残渣排放凹槽发送到抛光垫内。
申请公布号 CN106002608A 申请公布日期 2016.10.12
申请号 CN201610161203.8 申请日期 2016.03.21
申请人 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司;陶氏环球技术有限责任公司 发明人 B·钱;E·S·西蒙;G·C·雅各布
分类号 B24B37/20(2012.01)I;B24B37/04(2012.01)I;B24B37/013(2012.01)I;H01L21/304(2006.01)I 主分类号 B24B37/20(2012.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 陆蔚;陈哲锋
主权项 一种适合于抛光或平坦化半导体、光学和磁性衬底中的至少一个的抛光垫,所述抛光垫具有抛光表面、穿过所述抛光垫的开口、从所述抛光垫的中心延伸到所述抛光垫的外围的半径和在所述抛光垫中的所述开口内的透明窗,所述透明窗紧固到所述抛光垫且对磁性和光学信号中的至少一个透明,所述透明窗具有关于所述抛光表面的凹表面,所述凹表面在所述透明窗的中心区域中具有如从所述抛光表面的平面测量的最大深度,其随着所述抛光垫的使用而增大;在所述透明窗中邻近所述中心区域且在最靠近所述抛光垫的中心的一侧上的信号区域,用于将光学和/或磁性信号中的至少一个传输到晶片,所述信号区域向下倾斜到所述中心区域内用于促进残渣去除且残渣排放凹槽延伸穿过所述中心区域到所述抛光垫内,其中将所述抛光垫与所述残渣排放凹槽中的抛光流体一起旋转将残渣从所述中心区域经由所述残渣排放凹槽发送到所述抛光垫内,且其中所述残渣排放凹槽的深度大于所述中心区域的所述深度。
地址 美国特拉华州