| 发明名称 | 半导体器件及其操作方法 | ||
| 摘要 | 一种操作半导体存储器件的方法包括：将编程脉冲施加至多个页中的每个页至少一次；通过初始测试电压来对所述多个页之中的参考页执行预读取操作；通过控制初始测试电压来重复预读取操作，直到预读取操作的结果是通过为止；将预读取操作的结果是通过时的初始测试电压设置为参考测试电压；以及通过利用参考测试电压对所述多个页执行读取操作来检测所述多个页之中的缺陷页。 | ||
| 申请公布号 | CN106024061A | 申请公布日期 | 2016.10.12 |
| 申请号 | CN201510959027.8 | 申请日期 | 2015.12.18 |
| 申请人 | 爱思开海力士有限公司 | 发明人 | 元嘇规;金明寿;车载元 |
| 分类号 | G11C16/26(2006.01)I;G11C16/34(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/26(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 俞波;许伟群 |
| 主权项 | 一种操作半导体存储器件的方法，所述方法包括：将编程脉冲施加至多个页中的每个页至少一次；通过初始测试电压来对所述多个页之中的参考页执行预读取操作；通过控制初始测试电压来重复预读取操作，直到预读取操作的结果是通过为止；将预读取操作的结果是通过时的初始测试电压设置为参考测试电压；以及通过利用参考测试电压对所述多个页执行读取操作来检测所述多个页之中的缺陷页。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||