发明名称 |
圆筒型的溅射靶、烧结体、成形体及其制造方法 |
摘要 |
本发明的目的在于提供应变小、强度高的圆筒型溅射靶及圆筒型成形体、圆筒型溅射靶、圆筒型烧结体、圆筒型成形体及其制造方法。或者,提供均质性高的圆筒型溅射靶、圆筒型烧结体、圆筒型成形体及其制造方法。本发明的一个实施方式的溅射靶具有圆筒型烧结体,圆筒型烧结体的相对密度为99.7%以上且99.9%以下。另外,圆筒型溅射靶具有隔着规定的间隔而相邻的多个圆筒型烧结体,相邻的多个圆筒型烧结体之间的相对密度之差可以为0.1%以下。 |
申请公布号 |
CN106011754A |
申请公布日期 |
2016.10.12 |
申请号 |
CN201610154405.X |
申请日期 |
2016.03.17 |
申请人 |
JX金属株式会社 |
发明人 |
山口洋平 |
分类号 |
C23C14/34(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/34(2006.01)I |
代理机构 |
北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 |
代理人 |
郭放;许伟群 |
主权项 |
一种圆筒型溅射靶,其特征在于,具有隔着间隔而相邻的多个氧化铟锡或氧化铟镓锌的圆筒型烧结体,上述圆筒型烧结体的相对密度为99.7%以上且99.9%以下,相邻的多个上述圆筒型烧结体之间的相对密度之差为0.1%以下。 |
地址 |
日本东京都 |