发明名称 一种用于激光直写曝光机的多波长紫外半导体激光器
摘要 本发明涉及一种用于激光直写曝光机的多波长紫外半导体激光器,与现有技术相比解决了尚无多波长半导体激光器的缺陷。本发明包括壳体,所述的壳体内安装有上排405nm半导体发光阵列和下排375nm半导体发光阵列,壳体的侧部设有一号光纤输出端口和二号光纤输出端口,上排405nm半导体发光阵列和下排375nm半导体发光阵列分别位于一号光纤输出端口的两侧。本发明将不同波段半导体发光二极管发出的光通过非球面耦合透镜收进光纤,再对不同波段的光纤进行一定比例的搭配捆绑,达到同一输出光纤束具有不同波长的目的,同时满足激光器的高功率。
申请公布号 CN106019856A 申请公布日期 2016.10.12
申请号 CN201610586043.1 申请日期 2016.07.22
申请人 合肥芯碁微电子装备有限公司 发明人 张宽
分类号 G03F7/20(2006.01)I;H01S5/40(2006.01)I 主分类号 G03F7/20(2006.01)I
代理机构 合肥天明专利事务所 34115 代理人 张祥骞;奚华保
主权项 一种用于激光直写曝光机的多波长紫外半导体激光器,包括壳体(11),其特征在于:所述的壳体(11)内安装有上排405nm半导体发光阵列(12)和下排375nm半导体发光阵列(13),壳体(11)的侧部设有一号光纤输出端口(7)和二号光纤输出端口(8),上排405nm半导体发光阵列(12)和下排375nm半导体发光阵列(13)分别位于一号光纤输出端口(7)的两侧;上排405nm半导体发光阵列(12)包括16个上光纤耦合模块(6),下排375nm半导体发光阵列(13)包括16个下光纤耦合模块(5),上光纤耦合模块(6)的半导体发光二极管为405nm半导体发光二极管,下光纤耦合模块(5)的半导体发光二极管为375nm半导体发光二极管,16个上光纤耦合模块(6)和16个下光纤耦合模块(5)上均接有光纤(4);8个上光纤耦合模块(6)所接的光纤(4)与8个下光纤耦合模块(5)所接的光纤(4)捆绑成一号光纤束(15),一号光纤束(15)接入一号光纤输出端口(7),另8个上光纤耦合模块(6)所接的光纤(4)与另8个下光纤耦合模块(5)所接的光纤(4)捆绑成二号光纤束(16),二号光纤束(16)接入二号光纤输出端口(8)。
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