集成悬臂开关

摘要

本公开涉及集成悬臂开关。一种纳米级机电开关形式的集成晶体管消除了CMOS电流泄露并且提高了开关速度。纳米级机电开关以从衬底的一部分延伸到腔中的半导悬臂为特征。悬臂响应于施加到晶体管栅极的电压而弯曲，因此在栅极下方形成导电沟道。当器件关断时，悬臂回到它的静止位置。这种悬臂的移动将电路断开，在栅极下方恢复不允许电流流动的空洞，因此解决了泄露的问题。纳米机电开关的制作与现有的CMOS晶体管制作流程兼容。通过掺杂悬臂并且使用背偏置和金属悬臂末端，可以进一步改进开关的灵敏度。纳米机电开关的面积可以小至0.1x0.1μm²。

主权项

一种装置，包括：硅衬底；分层的堆叠，覆盖所述硅衬底；腔，定位在所述分层的堆叠内；柔性构件，从所述分层的堆叠的层延伸到所述腔中；以及栅极，覆盖所述柔性构件，所述栅极配置成经由电流控制所述柔性构件的运动。