| 发明名称 | Cu-Ga合金溅射靶材 | ||
| 摘要 | 提供一种高强度的柱状晶Cu‑Ga合金的溅射靶材，其含有含量为25.0原子％以上且29.5原子％以下的Ga，且余量由Cu和不可避免的杂质构成，ζ相的(112)面的取向率为25％～60％。 | ||
| 申请公布号 | CN106011755A | 申请公布日期 | 2016.10.12 |
| 申请号 | CN201610172665.X | 申请日期 | 2016.03.24 |
| 申请人 | JX金属株式会社 | 发明人 | 卫藤雅俊 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01)I;C22C9/00(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人 | 聂宁乐 |
| 主权项 | 一种柱状晶的Cu‑Ga合金的溅射靶材，其含有含量为25.0原子％以上且29.5原子％以下的Ga，且余量由Cu和不可避免的杂质构成，其特征在于，用X射线衍射中的ζ相的(100)面、(002)面、(101)面、(102)面、(110)面、(200)面、(112)面、(201)面以及(004)面的各衍射峰的测定强度分别除以JCPDS卡片编号44‑1117中记载的所述各衍射峰对应的结晶面的标准强度后得到的值的总和作为(A)，并且，用通过X射线衍射的ζ相的(112)面的衍射峰强度除以JCPDS卡片编号44‑1117中记载的(112)面的衍射峰标准强度后的值作为(B)时，通过(B)/(A)求得的ζ相的(112)面的取向率为25％～60％。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||