一种实现多晶硅无污染小颗粒破碎的方法

摘要

本发明公开了一种实现多晶硅无污染小颗粒破碎的方法，该方法通过对破碎过程中污染物防护措施解决破碎污染问题，通过对破碎温度的控制，实现硅料破碎颗粒度的可控性。通过此方法破碎的硅料，其大小均匀且不会对硅料产生污染；此方法破碎多晶硅料操作方便，节省人力；此方法破碎多晶硅料，硅料粒度能够控制到5cm以下，硅料细粉率能够控制。

主权项

一种实现多晶硅无污染小颗粒破碎的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤100：将表面洁净的多晶硅料放入可升温设备中，将温度升温至800‑1000℃，并保温0.5‑2h；步骤200：将温度在600‑1000℃之间的多晶硅料转移至去离子水中，冷却5‑10min；步骤300：冷却结束后，从水中取出多晶硅料，多晶硅料表面形成大量的裂纹，裂纹沿晶界延伸至硅锭内部，找出硅料裂纹密度最大的面；步骤400：在洁净空间中，两块硅料裂纹密度最大的面对碰，多晶硅料沿裂纹完全裂开，实现破碎。