用于检测晶片上的缺陷的方法和装置

摘要

本发明涉及用于检测晶片上的缺陷的方法和装置。本发明提供了利用能够结合到用激光衍射法检测不到的缺陷的化学标记物检测在部分制造的半导体晶片表面上的颗粒缺陷的方法和装置。

主权项

一种检测用于半导体器件的部分制造的半导体晶片的缺陷的方法，该方法包括：使所述部分制造的半导体晶片暴露于能够选择性结合到布置在所述部分制造的半导体晶片表面上、利用激光衍射法检测不到并具有第一成分的颗粒缺陷的第一化学标记物，所述化学标记物包括在暴露于刺激物时能够检测到的组分；在使所述晶片暴露于所述化学标记物后，使所述部分制造的半导体晶片暴露于所述刺激物，以形成所述部分制造的半导体晶片的可检测的区域，在该区域，所述第一化学标记物选择性地结合到所述颗粒缺陷；以及检测所述部分制造的半导体晶片的表面上的所述可检测的区域，其中，所述部分制造的半导体晶片的所述表面包括小于约2000个的缺陷。