功率器件及其制备方法

摘要

本公开提供功率器件及其制备方法。功率器件包括：第一器件，具有多个第一源区和多个第一沟槽，多个第一沟槽把多个第一源区彼此电学隔离；至少一个第二器件，具有多个第二源区和多个第二沟槽，多个第二沟槽把多个第二源区彼此电学隔离，其中第二器件内嵌在第一器件中，并且第二源区与第一源区通过金属间距区被电学隔离；其中，第二器件的第二沟槽与第一器件的第一沟槽是断开的，但通过多晶硅结构相连通，该多晶硅结构位于第一沟槽和第二沟槽之上。根据本公开的功率器件及其制备方法，通过利用多晶硅结构，第二器件的工作沟道与第一器件的工作沟道能够彻底断开，而第二器件的沟槽与第一器件的沟槽能够实现连通。

主权项

一种功率器件，包括：第一器件，所述第一器件具有多个第一源区并具有多个第一沟槽，其中，所述多个第一沟槽把所述多个第一源区彼此电学隔离；至少一个第二器件，所述第二器件具有多个第二源区并具有多个第二沟槽，所述多个第二沟槽把所述多个第二源区彼此电学隔离，其中所述第二器件内嵌在所述第一器件中，并且所述第二源区与所述第一源区通过金属间距区被电学隔离；其中，所述第一沟槽与所述第二沟槽本身是断开的，但通过多晶硅结构被连通，所述多晶硅结构位于所述第一沟槽和所述第二沟槽之上。