一种氮化物发光二极管及其制作方法

摘要

本发明公开了一种氮化物发光二极管及其制作方法，包括衬底，N型氮化物，多量子阱，V‑pits，V‑pits空气腔控制层，V‑pits空气腔盖层，V‑pits的空气腔，P型氮化物以及 P型接触层，其多量子阱区域的V‑Pits具有可调控的空气腔层，通过在V‑pits底部沉积空气腔控制层，然后，转移及沉积V‑pits的盖层，形成V‑pits的空气腔，从而制作V‑pits的空气腔层的体积和形状可调控的氮化物发光二极管，通过改变多量子阱发出光的散射和折射路径，提升光提取效率，提升氮化物发光二极管的发光强度和发光效率。

主权项

一种氮化物发光二极管，依次包括衬底，N型氮化物，多量子阱，V‑pits，V‑pits空气腔控制层，V‑pits空气腔盖层，V‑pits的空气腔，P型氮化物以及 P型接触层，其特征在于：所述多量子阱区域的V‑pits具有可调控的空气腔层。