| 发明名称 | 硅基中层组合物及相关方法 | ||
| 摘要 | 本发明是关于硅基中层组合物及相关方法。根据本发明一实施例，一制造半导体元件的方法包含：于衬底上形成第一材料层，所述第一材料层包含具有烷基的硅基组件；于所述第一材料层上直接形成光阻层；以及将所述光阻层暴露于辐射源之下。 | ||
| 申请公布号 | CN106024592A | 申请公布日期 | 2016.10.12 |
| 申请号 | CN201510856712.8 | 申请日期 | 2015.11.30 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 刘朕与;张庆裕 |
| 分类号 | H01L21/027(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/027(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 路勇 |
| 主权项 | 一种方法，包含：于衬底上形成第一层，所述第一层包含具有烷基的硅基组件；于所述第一层上直接形成光阻层；以及将所述光阻层暴露于辐射源之下。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市新竹科学工业园力行六路8号 | ||