| 发明名称 | 薄膜晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种薄膜晶体管，其在基板上具有：栅极电极；半导体层；栅极绝缘层，设置于该栅极电极与该半导体层之间，且由有机高分子化合物形成；及源极电极及漏极电极，设置成与该半导体层接触，并经由该半导体层而连结，在所述栅极绝缘层中，选自Mg、Ca、Ba、Al、Sn、Pb、Cr、Mn、Fe、Ni、Cu、Zn及Ag的金属的含量在总量中为10ppb～1ppm，或者选自卤素离子、硫酸根离子、硝酸根离子及磷酸根离子的非金属离子物质的含量在总量中为1ppm～100ppm。 | ||
| 申请公布号 | CN106030823A | 申请公布日期 | 2016.10.12 |
| 申请号 | CN201580009803.6 | 申请日期 | 2015.02.26 |
| 申请人 | 富士胶片株式会社 | 发明人 | 泷泽裕雄 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L21/312(2006.01)I;H01L21/47(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 庞东成;张志楠 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，在基板上具有：栅极电极；半导体层；栅极绝缘层，该栅极绝缘层设置于该栅极电极与该半导体层之间，且由有机高分子化合物形成；及源极电极及漏极电极，该源极电极及漏极电极设置成与该半导体层接触，并经由该半导体层而连结，其中，在所述栅极绝缘层中，选自Mg、Ca、Ba、Al、Sn、Pb、Cr、Mn、Fe、Ni、Cu、Zn及Ag的金属的含量在总量中为10ppb～1ppm，或者选自卤素离子、硫酸根离子、硝酸根离子及磷酸根离子的非金属离子物质的含量在总量中为1ppm～100ppm。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||