薄膜トランジスタの製造方法、および薄膜トランジスタ

摘要

【課題】性能の低下およびバラツキを抑えることができる薄膜トランジスタの製造方法と、薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】本発明の薄膜トランジスタ１（１Ａ）の製造方法は、基材２の一方の主面上に第１導電層を形成して、基材２の他方の主面上に第２導電層を形成する工程と、第１導電層および第２導電層の上にマスク層を一括して形成する工程と、第１導電層および第２導電層を一括してエッチング液に接触させて、第１導電層および第２導電層の一部領域を除去することにより、基材２の一方の主面上にソース電極６とドレイン電極７を形成し、基材２の他方の主面上にゲート電極５を形成する工程と、第１導電層が除去された基材２の一方の主面上に有機物半導体層３を形成する工程と、を含む。【選択図】図６