包括栅极接触部分的半导体器件

摘要

本发明提供了包括栅极接触部分的半导体器件。半导体器件包括衬底。半导体器件包括在衬底上的栅电极。半导体器件包括在栅电极上的栅极接触部分。在一些实施例中，鳍形主体从衬底突出，并且栅电极位于鳍形主体上。而且，在一些实施例中，栅极接触部分部分地位于栅电极中。

主权项

一种半导体器件，包括：衬底，其包括通过器件隔离层限定的有源图案，所述有源图案沿着一个方向延伸；栅电极，其在所述有源图案和所述器件隔离层上；以及栅极接触部分，其位于所述有源图案之间的器件隔离层上，并且连接至所述栅电极，其中，所述栅极接触部分包括与所述栅电极接触的主体部分和从所述主体部分沿着所述栅电极的侧壁朝着所述器件隔离层延伸的延伸部分。