单晶硅碎颗粒埚底料化学石英脱离处理方法

摘要

单晶硅埚底碎颗粒料化学石英脱离处理方法，涉及太阳能硅料洗料技术，依次进行以下步骤：a将物理方法无法脱离的单晶硅锅底料，破碎成直径15mm以内的颗粒状，装入pp浸泡花篮；b取NaOH片碱用自来水溶解，碱液浓度控制在15%以内；c将调配好的NaOH溶液加入到半自动恒温清洗机内进行加热，碱液温度控制在70‑80℃，将装单晶硅埚底碎料的花篮放入碱溶液内，用四氟棒进行均匀搅拌20‑25分钟，然后用水进行浸泡冲洗；d利用离心机、烘箱对其进行脱水、烘干，硅料与石英即可分离。本发明的有益效果：通过利用NaOH溶液对硅的异性腐蚀原理实现单晶硅埚底料中石英与硅料的分离，此项技术分离效率高、成本低、环境污染小等优点；从而达到降本增效的目的。

主权项

单晶硅埚底碎颗粒料化学石英脱离处理方法，其特征在于依次采用以下步骤：a将物理方法无法脱离的单晶硅锅底料，破碎成直径15mm以内的颗粒状，取20千克装入pp浸泡花篮；b取15千克含量为99%的NaOH片碱用85升自来水溶解，碱液浓度控制在15%以内；c将调配好的NaOH溶液加入到半自动恒温清洗机内进行加热，碱液温度控制在70‑80℃，将装单晶硅碎埚底料的花篮放入碱溶液内，每隔5分钟用四氟棒进行均匀搅拌，时间控制在20‑25分钟之间，然后用水进行浸泡冲洗，去除硅料表面碱液残留；d利用离心机、烘箱对其进行脱水、烘干，硅料与石英即可分离。