基于纳米压印光栅的二次干法刻蚀方法及外延片和激光器

摘要

一种基于纳米压印光栅的二次干法刻蚀方法及外延片和激光器，该方法包括：通过紫外纳米压印工艺，在外延片表面涂覆的光刻胶上压印出光栅图形；将压印好的外延片送入电感耦合等离子体(ICP)设备的反应腔室中进行一次刻蚀，反应气体为CH₄/H₂/Ar；将完成一次刻蚀的外延片送入反应腔室进行二次刻蚀，反应气体为CH₄/H₂/Ar。本发明采用二次刻蚀方法即连续两次对GaInP光栅进行干法刻蚀，通过调整优化刻蚀的气体流量比、腔室压强和刻蚀时间等参数，可以得到优良的光栅形貌。

主权项

一种基于纳米压印光栅的二次干法刻蚀方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：准备一外延片；步骤2：通过纳米压印技术，将压印模板上的纳米图案转移到所述外延片表面涂覆的光刻胶上，制作出光栅图形；步骤3：将所述压印好光栅图形的外延片送入ICP反应腔室进行一次刻蚀；步骤4：将所述一次刻蚀完成的外延片送入ICP反应腔室进行二次刻蚀，在所述外延片的GaInP层上刻蚀形成光栅图形；步骤5：使用氧等离子体对所述外延片表面进行处理，完成整个刻蚀过程。