| 发明名称 | SiC单晶的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供在籽晶与Si‑C溶液之间气泡难以进入的SiC单晶的制造方法。SiC单晶的制造方法为：利用将籽晶(10)的主表面(10a)朝向下方并使其与Si‑C溶液(11)接触而在主表面(10a)上使SiC单晶生长的溶液生长法得到SiC单晶的制造方法。主表面(10a)平坦。该制造方法包括：接触工序A、接触工序B和生长工序。接触工序A中，使主表面(10a)的一部分区域与贮存的Si‑C溶液(11)接触。接触工序B中，以在接触工序A中接触的一部分区域即初始接触区域作为起始点，通过润湿现象来扩大主表面(10a)与贮存的Si‑C溶液(11)的接触区域。生长工序中，使SiC单晶在与贮存的Si‑C溶液(11)接触的主表面(10a)上生长。 | ||
| 申请公布号 | CN106029959A | 申请公布日期 | 2016.10.12 |
| 申请号 | CN201580008068.7 | 申请日期 | 2015.02.12 |
| 申请人 | 新日铁住金株式会社;丰田自动车株式会社 | 发明人 | 楠一彦;龟井一人;大黑宽典;坂元秀光 |
| 分类号 | C30B29/36(2006.01)I;C30B19/04(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/36(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;李茂家 |
| 主权项 | 一种SiC单晶的制造方法，其为利用将籽晶的主表面朝向下方并使其与Si‑C溶液接触而在所述主表面上使SiC单晶生长的溶液生长法得到SiC单晶的制造方法，所述主表面平坦，所述制造方法包括下述工序：接触工序A，使所述主表面的一部分区域与贮存的Si‑C溶液接触；接触工序B，以在所述接触工序A中接触的一部分区域即初始接触区域作为起始点，通过润湿现象来扩大所述主表面与所述贮存的Si‑C溶液的接触区域；和生长工序，使SiC单晶在与所述贮存的Si‑C溶液接触的所述主表面上生长。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||