| 发明名称 | 一种高迁移率层状硒氧化铋半导体薄膜及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种高迁移率层状Bi<sub>2</sub>O<sub>2</sub>Se半导体薄膜及其制备方法。该制备层状Bi<sub>2</sub>O<sub>2</sub>Se半导体薄膜的方法，包括如下步骤：以Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>粉末和Bi<sub>2</sub>Se<sub>3</sub>块体为原料，在云母基底上进行化学气相沉积，沉积完毕后即得到所述层状Bi<sub>2</sub>O<sub>2</sub>Se半导体薄膜。该方法经济、简单易行、所得薄膜大面积连续迁移率高，具有广阔应用前景。 | ||
| 申请公布号 | CN106011783A | 申请公布日期 | 2016.10.12 |
| 申请号 | CN201610532362.4 | 申请日期 | 2016.07.07 |
| 申请人 | 北京大学 | 发明人 | 彭海琳;吴金雄;谭聪伟 |
| 分类号 | C23C16/30(2006.01)I;C23C16/448(2006.01)I;H01L31/032(2006.01)I;H01L31/09(2006.01)I;H01L29/24(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/30(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人 | 关畅 |
| 主权项 | 一种制备层状Bi<sub>2</sub>O<sub>2</sub>Se半导体薄膜的方法，包括如下步骤：以Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>粉末和Bi<sub>2</sub>Se<sub>3</sub>块体为原料，进行化学气相沉积，沉积完毕即得。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区颐和园路5号北京大学 | ||