一种基于二氧化硅隧道结的阻变存储器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于二氧化硅隧道结的阻变存储器，其是在高导Si衬底上制有SiO₂隧穿层，并在所述SiO₂隧穿层上制有TiN电极膜层。并且，本发明还公开了该阻变存储器的制备方法，其包括如下步骤：A、将高导Si衬底进行清洗处理并吹干，备用；B、将备用的高导Si衬底放入热氧化生长炉中并通入氧气，于600±5℃条件下退火分钟，形成SiO₂隧穿层；C、在形成的SiO₂隧穿层上溅射TiN电极膜层。本发明的存储器的高、低阻态阻值分布集中，且高电阻值和低电阻值之间相差较大。而且，该阻变存储器具有明显的开关效应，再有，该阻变存储器在高阻态和低阻态下的抗疲劳特性均比较优异，具有良好的应用前景。

主权项

一种基于二氧化硅隧道结的阻变存储器，其特征是，其是在高导Si衬底上制有SiO₂隧穿层，并在所述SiO₂隧穿层上制有TiN电极膜层。