绝缘栅双极型晶体管及其制造方法

摘要

绝缘栅双极型晶体管及其制造方法。本发明提供了一种IGBT及其制造方法，该IGBT包括：具有第一导电类型的衬底；具有第二导电类的基区，其形成于衬底的上表面；具有第一导电类型的发射区，其掺杂浓度大于衬底的掺杂浓度，形成于基区的上表面；发射极，形成于发射区的上表面；沟槽，其从衬底的上表面垂直延伸到衬底的中部，并与基区间隔设置，沟槽由多晶硅填充形成栅电极，多晶硅始于沟槽的底部并止于基区的上表面，多晶硅与衬底之间、以及多晶硅与基区之间形成有栅极氧化层；绝缘层，形成于栅电极的上表面；集电极区，形成于衬底的下表面；集电极，形成于集电极区的下表面。本发明可提高电流驱动能力，减小栅极沟道长度，把碳化硅‑氧化层界面态对沟道电子迁移率的变小的影响减至最小。

主权项

一种绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，包括：衬底(1)，具有第一导电类型；基区(2)，具有第二导电类型，形成于所述衬底(1)的上表面并注入所述衬底(1)中；发射区(3)，具有第一导电类型，且其掺杂浓度大于所述衬底(1)的掺杂浓度，形成于所述基区(2)的上表面并注入所述基区(2)；发射极(7)，形成于所述发射区(3)的上表面；至少一个沟槽，所述沟槽从所述衬底(1)的上表面垂直延伸到所述衬底(1)的中部，并与所述基区(2)间隔设置，所述至少一个沟槽由多晶硅(5)填充形成栅电极(52)，所述多晶硅(5)始于所述沟槽的底部并止于所述基区(2)的上表面，所述多晶硅(5)与所述衬底(1)之间、以及所述多晶硅(5)与所述基区(2)之间形成有栅极氧化层(4)；绝缘层(6)，形成于所述栅电极(52)的上表面；集电极区(8)，形成于所述衬底(1)的下表面；集电极(9)，形成于所述集电极区(8)的下表面。