| 发明名称 | 有宽面积肖特基结的宽带隙半导体开关器件 | ||
| 摘要 | 本公开提供具有宽面积肖特基结的宽带隙半导体开关器件，以增加欧姆接触和肖特基接触的面积。开关器件包括：半导体材料的本体(2)，其具有第一导电性类型并且由前表面(S<sub>a</sub>)界定；第一导电材料的接触层(12)，其与前表面接触地延伸；以及多个掩埋区域(20)，其具有第二导电性类型并且被设置在半导体本体内，与接触层相距一定距离。本开关器件具有比在平面JBS结构中建立的电场值更低的电场值，但是具有更宽的肖特基接触面积并且因此具有用于电流通过的更宽的有用面积。 | ||
| 申请公布号 | CN205645825U | 申请公布日期 | 2016.10.12 |
| 申请号 | CN201620144222.5 | 申请日期 | 2016.02.25 |
| 申请人 | 意法半导体股份有限公司 | 发明人 | M·萨焦;S·拉斯库纳 |
| 分类号 | H01L29/872(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/872(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 王茂华 |
| 主权项 | 一种开关器件，其特征在于，包括：‑半导体材料的本体(2)，其具有第一导电性类型并且由前表面(S<sub>a</sub>)界定；‑第一导电材料的接触层(12)，其与所述前表面接触地延伸；以及‑多个掩埋区域(20)，其具有第二导电性类型，并且被设置在半导体本体内，与所述接触层相距一定距离。 | ||
| 地址 | 意大利阿格拉布里安扎 | ||