半导体存储器件及其制造方法

摘要

提供了半导体存储器件及其制造方法。该半导体存储器件可以包括：半导体基板，具有第一沟槽和第二沟槽，该第一沟槽限定第一区域中的有源区域，该第二沟槽提供在第一区域周围的第二区域中；栅极电极，提供在第一区域中以跨过有源区域；电荷存储图案，设置在栅极电极和有源区域之间；阻挡绝缘层，提供在栅极电极和电荷存储图案之间并在第一沟槽之上延伸以在第一沟槽中限定第一空气间隙；以及绝缘图案，提供为与第二沟槽的底表面间隔开以在第二沟槽中限定第二空气间隙。

主权项

一种半导体存储器件，包括：半导体基板，包括第一沟槽和第二沟槽，该第一沟槽在第一区域中限定有源区域，该第二沟槽在所述第一区域周围的第二区域中；栅极电极，在所述第一区域上跨过所述有源区域；数据存储图案，在所述栅极电极和所述有源区域之间；阻挡绝缘层，在所述栅极电极和所述数据存储图案之间，在所述第一沟槽之上延伸以在所述第一沟槽中限定第一空气间隙；以及绝缘图案，与所述第二沟槽的底表面间隔开以在所述第二沟槽中限定第二空气间隙；其中所述第一沟槽和所述第二沟槽具有基本上相同的深度，其中所述第一空气间隙包括第一垂直高度，所述第二空气间隙包括第二垂直高度，并且其中所述第一垂直高度大于所述第二垂直高度。