EUV光刻杂散光计算和补偿

摘要

本发明公开了极紫外（EUV）光刻的杂散光计算和补偿。一种针对EUV光刻中使用的掩模计算杂散光的方法包括将杂散光功率谱密度（PSD）分解为低频分量和高频分量。此外，所述方法包括在杂散光图产生器中接收多个布局。多个布局中的每一个布局对应于掩模上的芯片图案位置。而且，所述方法包括使用杂散光图产生器，通过使用快速傅立叶变换（FFT），根据低频分量产生针对掩模的低频杂散光图。

主权项

一种针对极紫外(EUV)光刻中使用的掩模计算杂散光的方法，所述方法包括：将杂散光功率谱密度(PSD)分解为低频分量和高频分量；在杂散光图产生器中接收多个布局，其中，所述多个布局中的每一个布局对应于所述掩模上的芯片图案位置；以及使用所述杂散光图产生器，通过使用快速傅立叶变换(FFT)，根据所述低频分量产生针对所述掩模的低频杂散光图。