METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

摘要

본 발명은 불순물 확산 성분을 포함하는 확산제 조성물을 반도체 기판 상에 도포한 후, 형성된 도포막을 가열하여 반도체 기판 중에 불순물 확산 성분을 확산시키는 반도체 기판의 제조 방법으로서, 나노 스케일 막 두께로의 확산제 조성물의 도포와 단시간 열처리에 의해서, 반도체 기판 중에 불순물 확산 성분을 양호하게 확산시킬 수 있는 반도체 기판의 제조 방법을 제공하는 것이다. 확산제 조성물로서 불순물 확산 성분(A)과 이소시아네이트기를 가지는 소정 구조의 Si화합물(B)을 포함하는 조성물을 이용하는 경우에 확산제 조성물을 30 nm이하의 막 두께로 반도체 기판 상에 도포하면서 확산제 조성물의 도포막을 소정의 방법에 의해 단시간 가열한다.