磁隧道结以及磁存储器

摘要

本发明实施例公开一种磁隧道结MTJ以及磁存储器，该MTJ从上到下依次包括第一铁磁层、势垒层、第二铁磁层、缓冲层、第三铁磁层和重金属层，其中：第一铁磁层、第二铁磁层和第三铁磁层均包括混合金属材料，势垒层包括金属氧化物材料，缓冲层包括非铁磁材料；第一铁磁层的磁化方向为固定方向，第二铁磁层与第三铁磁层形成铁磁耦合或反铁磁耦合。实施本发明实施例，可以提高磁隧道结中的第三铁磁层的磁化方向的翻转速度，提高MTJ的可靠性，并可以降低写入电流，从而降低功耗。

主权项

一种磁隧道结MTJ，其特征在于，从上到下依次包括第一铁磁层、势垒层、第二铁磁层、缓冲层、第三铁磁层和重金属层，其中：所述第一铁磁层、所述第二铁磁层和所述第三铁磁层均包括混合金属材料，所述势垒层包括金属氧化物材料，所述缓冲层包括非铁磁材料；所述第一铁磁层的磁化方向为固定方向，所述第二铁磁层与所述第三铁磁层形成铁磁耦合或反铁磁耦合。