发明名称 |
一种单原子层沉积技术生长含Ni薄膜的方法 |
摘要 |
本发明提供了一种单原子层沉积技术生长含Ni薄膜的方法,包括以下步骤:A)将衬底置于反应腔中,在真空条件下,以脉冲形式向反应腔中通入气相Ni源进行沉积,得到沉积有Ni源的衬底,所述Ni源包括具有式I所示结构的化合物;B)将气相还原剂以脉冲形式通入反应腔,对沉积在衬底上的Ni源进行还原,得到沉积有Ni薄膜的衬底。本发明采用了具有式I结构的Ni源,将其应用在单原子层沉积技术(ALD)中,使得能够在纳米级的半导体器件上沉积形成保型性较好的含Ni沉积层。并且,采用本发明中的方法制得的Ni膜电阻率更低,实验结果表明,本发明制得的Ni薄膜电阻率在13~24μΩ·cm。 |
申请公布号 |
CN106011778A |
申请公布日期 |
2016.10.12 |
申请号 |
CN201610424181.X |
申请日期 |
2016.06.15 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所;江南大学 |
发明人 |
丁玉强;杜立永;张羽翔;赵超;项金娟 |
分类号 |
C23C16/18(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/18(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
赵青朵 |
主权项 |
一种单原子层沉积技术生长含Ni薄膜的方法,包括以下步骤:A)将半导体衬底置于反应腔中,在真空条件下,以脉冲形式向反应腔中通入气相Ni源进行沉积,得到沉积有Ni源的衬底,所述Ni源包括具有式I所示结构的化合物:<img file="FDA0001018926490000011.GIF" wi="814" he="679" />B)将气相还原剂以脉冲形式通入反应腔,对沉积在衬底上的Ni源进行还原,得到沉积有含Ni薄膜的衬底。 |
地址 |
100029 北京市朝阳区北土城西路3号 |