| 发明名称 | 三维半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种三维半导体器件，包括：衬底，其包括接触区、虚设区和单元阵列区；以及堆叠结构，其包括垂直地堆叠在所述衬底上的多个电极。在所述接触区上，各个电极以这样的方式设置：各个电极中下面的一个电极具有被上面的一个电极所暴露的末端，从而具有阶梯式结构。在所述虚设区上，至少两个电极的末端具有位于实质上相同的水平位置处的侧壁。 | ||
| 申请公布号 | CN106024786A | 申请公布日期 | 2016.10.12 |
| 申请号 | CN201610192155.9 | 申请日期 | 2016.03.30 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 朴照英;李锡元;徐晟准 |
| 分类号 | H01L27/105(2006.01)I;H01L27/11(2006.01)I;H01L27/112(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/105(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 张帆;崔卿虎 |
| 主权项 | 一种三维半导体器件，包括：衬底，其包括接触区、虚设区和单元阵列区；以及堆叠结构，其包括垂直地堆叠在所述衬底上的多个电极，其中，在所述接触区上，所述电极以这样的方式设置：各个电极中下面的一个电极具有被其上面的一个电极所暴露的末端，从而具有阶梯式结构，并且在所述虚设区上，至少两个电极的末端具有位于实质上相同的水平位置处的侧壁。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||