循环氧化与蚀刻的设备及方法

摘要

在此描述了用于制造适用于窄间距应用的半导体器件的设备及该半导体器件的制造方法。公开了各种单一腔室，该单一腔室配置以通过氧化材料层表面来形成氧化物层而形成和/或塑形材料层；通过蚀刻工艺来移除至少一些该氧化物层；以及循环地重复该氧化以及移除工艺直到该材料层成为所期望的形状。在一些实施例中，该材料层可为半导体器件的浮置栅极。

主权项

一种用于在材料层上执行循环氧化与蚀刻工艺的设备，该设备包括：工艺腔室，具有多个壁，该多个壁于该工艺腔室中界定一处理区域，该工艺腔室包括基板支撑件，该基板支撑件用以将具有材料层的基板固定在该处理区域中；含氧气体供应器、不活跃气体供应器以及蚀刻气体供应器，该含氧气体供应器、不活跃气体供应器以及蚀刻气体供应器与该工艺腔室流体连通，以输送该含氧气体、该不活跃气体与该蚀刻气体至该工艺腔室中；等离子体源，用以在位于该腔室内部的等离子体产生区中形成等离子体，且激发该含氧气体与该蚀刻气体的至少之一，以形成氧化等离子体以及蚀刻等离子体中的至少一种来接触该材料层；加热系统，用以将该腔室中的该基板加热至500℃或更高的第一温度；冷却系统，用以将该腔室中的该基板冷却至低于该第一温度的第二温度；以及控制系统，用以将该腔室中的该基板在该第一温度与该第二温度之间循环。