| 发明名称 | 改善IGBT背面应力的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种改善IGBT背面应力的方法，对于硅片正面钝化层上覆盖的聚酰亚胺，在对划片槽进行光刻定义时，将划片槽在聚酰亚胺上的曝光由亮改为暗，曝光后，划片槽区的聚酰亚胺保留，能够分散硅片应力，改善硅片的应力分布。或者是对于硅片正面钝化层上覆盖的聚酰亚胺，在对划片槽进行光刻定义时，将划片槽在聚酰亚胺上的曝光仍然保持为亮，增加暗的虚拟图形，曝光后转移到聚酰亚胺上，能使聚酰亚胺层形成均匀的分布。 | ||
| 申请公布号 | CN106024626A | 申请公布日期 | 2016.10.12 |
| 申请号 | CN201610470547.7 | 申请日期 | 2016.06.24 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 马彪 |
| 分类号 | H01L21/331(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/331(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 一种改善IGBT背面应力的方法，其特征在于：对于硅片正面钝化层上覆盖的聚酰亚胺，在对划片槽进行光刻定义时，将划片槽在聚酰亚胺上的曝光由亮改为暗，曝光后，划片槽区的聚酰亚胺保留。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||