发明名称 各向异性导电磁光三功能三色旗型纳米带阵列及其制备方法
摘要 本发明涉及一种各向异性导电磁光三功能三色旗型纳米带阵列及其制备方法,属于纳米材料制备技术领域。本发明包括五个步骤:(1)沉淀法制备油酸包覆的Fe<sub>3</sub>O<sub>4</sub>纳米晶;(2)沉淀法制备Tb(BA)<sub>3</sub>phen配合物;(3)制备聚甲基丙烯酸甲酯;(4)配制纺丝液;(5)制备[Tb(BA)<sub>3</sub>phen/PMMA]//[PANI/PMMA]//[Fe<sub>3</sub>O<sub>4</sub>/PMMA]各向异性导电磁光三功能三色旗型纳米带阵列,采用静电纺丝技术,使用并列三喷丝头制备。所制备的三色旗型纳米带阵列具有良好的发光、导电各向异性和磁性三功能。本发明的方法简单易行,可以批量生产,这种新型的纳米结构材料具有广阔的应用前景。
申请公布号 CN104532393B 申请公布日期 2016.10.12
申请号 CN201410795606.9 申请日期 2014.12.18
申请人 长春理工大学 发明人 董相廷;马千里;于文生;王进贤;杨铭;王婷婷;于辉;刘桂霞
分类号 D01F8/10(2006.01)I;D01F8/16(2006.01)I;D01F1/10(2006.01)I;D01D1/02(2006.01)I;D01D5/00(2006.01)I;C08F120/14(2006.01)I;C08G73/02(2006.01)I 主分类号 D01F8/10(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 各向异性导电磁光三功能三色旗型纳米带阵列,其特征在于,三色旗型纳米带呈定向排列,形成阵列结构,具有发光、导电各向异性和磁性三种功能,三色旗型纳米带阵列表面上沿着纳米带长度方向导电性强,平均电导率为6.325×10<sup>‑4</sup>S/cm,而沿着垂直于纳米带长度方向导电性弱,平均电导率为1.28×10<sup>‑12</sup>S/cm,沿着三色旗型纳米带厚度方向的平均电导率为3.5×10<sup>‑9</sup>S/cm,具有各向异性导电性,每根三色旗型纳米带的宽度为10μm,厚度小于1μm,长度大于5mm。
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