| 发明名称 | 改善栅极诱导漏极漏电的方法以及非均匀沟道掺杂器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种改善栅极诱导漏极漏电的方法以及非均匀沟道掺杂器件。根据本发明的改善栅极诱导漏极漏电的方法包括：在衬底中形成阱区以及浅沟槽隔离，在阱区表面形成具有栅极侧墙的栅极结构；采用与阱区的掺杂离子同型的元素进行倾斜离子注入以形成表面高浓度沟道区；执行源漏轻掺杂、源漏重掺杂以及退火工艺以便在栅极结构两侧在阱区表层形成源极区域和漏极区域。 | ||
| 申请公布号 | CN106024900A | 申请公布日期 | 2016.10.12 |
| 申请号 | CN201610585568.3 | 申请日期 | 2016.07.22 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 颜丙勇;杜宏亮 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 智云 |
| 主权项 | 一种改善栅极诱导漏极漏电的方法，其特征在于包括：第一步骤：在衬底中形成阱区以及浅沟槽隔离，在阱区表面形成具有栅极侧墙的栅极结构；第二步骤：采用与阱区的掺杂离子同型的元素进行倾斜离子注入以形成表面高浓度沟道区；第三步骤：执行源漏轻掺杂、源漏重掺杂以及退火工艺以便在栅极结构两侧在阱区表层形成源极区域和漏极区域。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号 | ||