发明名称 一种具有倒梯形桥墩的空气桥制作方法
摘要 本发明公开了一种具有倒梯形桥墩的空气桥制作方法,包括步骤:1)在GaAs或GaN基片上旋涂第一层正性光刻胶;2)在第一层正性光刻胶上光刻出具有倒梯形结构的桥墩图形;3)磁控溅射形成桥墩及桥面起镀层;4)旋涂第二层光刻胶,光刻形成桥面保护图形;5)湿法腐蚀去除多余金属;6)干法刻蚀去除桥面保护光刻胶;7)电镀加厚桥面金属;8)使用有机溶剂去除牺牲层,即第一层正性光刻胶,得到所需的空气桥。本发明方法的制作工艺简单,并不使用高温烘烤,且制得的空气桥结构坚固,在高温、震动等恶劣环境中不会轻易倒塌。
申请公布号 CN106024702A 申请公布日期 2016.10.12
申请号 CN201610461149.9 申请日期 2016.06.21
申请人 中山德华芯片技术有限公司 发明人 黄鸿;张杨;毛明明;王青;马涤非;郑贵忠;蔡仙清;杨柏
分类号 H01L21/764(2006.01)I 主分类号 H01L21/764(2006.01)I
代理机构 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 代理人 梁莹
主权项 一种具有倒梯形桥墩的空气桥制作方法,其特征在于,包括以下步骤:1)在GaAs或GaN基片上旋涂第一层正性光刻胶;2)在第一层正性光刻胶上光刻出具有倒梯形结构的桥墩图形;3)磁控溅射形成桥墩及桥面起镀层;4)旋涂第二层光刻胶,光刻形成桥面保护图形;5)湿法腐蚀去除多余金属;6)干法刻蚀去除桥面保护光刻胶;7)电镀加厚桥面金属;8)使用有机溶剂去除牺牲层,即第一层正性光刻胶,得到所需的空气桥。
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