发明名称 |
一种具有倒梯形桥墩的空气桥制作方法 |
摘要 |
本发明公开了一种具有倒梯形桥墩的空气桥制作方法,包括步骤:1)在GaAs或GaN基片上旋涂第一层正性光刻胶;2)在第一层正性光刻胶上光刻出具有倒梯形结构的桥墩图形;3)磁控溅射形成桥墩及桥面起镀层;4)旋涂第二层光刻胶,光刻形成桥面保护图形;5)湿法腐蚀去除多余金属;6)干法刻蚀去除桥面保护光刻胶;7)电镀加厚桥面金属;8)使用有机溶剂去除牺牲层,即第一层正性光刻胶,得到所需的空气桥。本发明方法的制作工艺简单,并不使用高温烘烤,且制得的空气桥结构坚固,在高温、震动等恶劣环境中不会轻易倒塌。 |
申请公布号 |
CN106024702A |
申请公布日期 |
2016.10.12 |
申请号 |
CN201610461149.9 |
申请日期 |
2016.06.21 |
申请人 |
中山德华芯片技术有限公司 |
发明人 |
黄鸿;张杨;毛明明;王青;马涤非;郑贵忠;蔡仙清;杨柏 |
分类号 |
H01L21/764(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/764(2006.01)I |
代理机构 |
广州市华学知识产权代理有限公司 44245 |
代理人 |
梁莹 |
主权项 |
一种具有倒梯形桥墩的空气桥制作方法,其特征在于,包括以下步骤:1)在GaAs或GaN基片上旋涂第一层正性光刻胶;2)在第一层正性光刻胶上光刻出具有倒梯形结构的桥墩图形;3)磁控溅射形成桥墩及桥面起镀层;4)旋涂第二层光刻胶,光刻形成桥面保护图形;5)湿法腐蚀去除多余金属;6)干法刻蚀去除桥面保护光刻胶;7)电镀加厚桥面金属;8)使用有机溶剂去除牺牲层,即第一层正性光刻胶,得到所需的空气桥。 |
地址 |
528437 广东省中山市火炬开发区火炬路22号之二第3-4层 |