一种低导通电阻横向双扩散金属氧化物半导体器件

摘要

一种低导通电阻横向双扩散金属氧化物半导体器件，包括：P型衬底，在P型衬底的上方设有高压N型区，在高压N型区的上方设有N型漂移区和P型体区，在N型漂移区内设有N型漏区、浅槽隔离区，在P型体区内设有N型源区和P型区，在高压N型区的上方设有栅氧化层且所述栅氧化层的两端分别延伸至P型体区和第一浅槽隔离区的上方，在栅氧化层上方设有多晶硅栅场板，在N型漏区、N型源区和P型区的上设有金属接触。其特征在于，所述浅槽隔离区包括间隔、对称排列的第一浅槽隔离区和第二浅槽隔离区，所述第二浅槽隔离区两端内缩且短于所述第一浅槽隔离区。本发明可以在击穿电压几乎不变的基础上，获得极低的导通电阻。

主权项

一种低导通电阻横向双扩散金属氧化物半导体器件，包括：P型衬底(1)，在P型衬底(1)的上方设有高压N型区(2)，在高压N型区(2)的上方设有N型漂移区(3)和P型体区(4)，在N型漂移区(3)内设有N型漏区(6)、浅槽隔离区，在P型体区(4)内设有N型源区(5)和P型区(7)，在高压N型区(2)上还设有栅氧化层(8)且所述栅氧化层(8)的两端分别延伸至P型体区(4)的上方和第一浅槽隔离区(13)的上方，在栅氧化层(8)上方设有多晶硅栅场板(9)，在N型漏区(6)、N型源区(5)和P型区(7)的上表面分别设有漏极金属接触(10)、源极金属接触(11)和体区金属接触(12)，其特征在于，所述浅槽隔离区包括间隔、对称排列的第一浅槽隔离区(13)和第二浅槽隔离区(14)，所述第二浅槽隔离区(14)两端内缩且短于所述第一浅槽隔离区(13)，所述的第一浅槽隔离区(13)的左边界距离N型漏区(6)距离大于0.2μm。