单晶硅制造装置

摘要

本发明是一种单晶硅制造装置，其是基于CZ法的单晶硅制造装置，具备在内部具有加热原料的加热器的腔室以及通过冷却介质来冷却腔室的装置，所述单晶硅制造装置具备：供冷却所述腔室的冷却介质在腔室内流通的流路上的入口温度、出口温度及流量的测定装置；基于入口温度、出口温度及流量的测定值来计算从腔室去除的去除热量的运算装置；以及基于计算出的去除热量来控制加热器功率的加热器功率控制装置。由此，提供一种单晶硅制造装置，其基于由冷却介质的温度及流量的测定值计算出的从腔室去除的去除热量来控制加热器功率，由此能够以更接近目标值的结晶直径及结晶提拉速度来进行单晶的提拉。

主权项

一种单晶硅制造装置，其特征在于，是基于CZ法的单晶硅制造装置，具备在内部具有加热原料的加热器的腔室以及通过冷却介质来冷却所述腔室的装置，所述单晶硅制造装置具备：供冷却所述腔室的冷却介质在腔室内流通的流路上的入口温度、出口温度及流量的测定装置；基于所述入口温度、所述出口温度及所述流量的测定值来计算从所述腔室去除的去除热量的运算装置；以及，基于所述计算出的去除热量来控制加热器功率的加热器功率控制装置。